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常见问题

FAQ
  • 短路烧烧毁MOS的原因和解决方案?

    1. MOSFET的承载能力不够,更改MOSFET的规格书,增加瞬间负载承载能力

    2. MOSFET关断时间较长,导致MOSFET在较长时间内工作在放大区;缩小关断时MOSFET的关断时间,一般增加加速泄放电路来实现。


  • 为什么ID/NTC电阻不建议并联电容提高ESD?

    因为有些系统识别ID或者NTC的阻抗的时间很短,并联电容后因为加载的电压给电容充电,会导致系统识别ID/NTC的阻值不在范围内。所以一般在ID和NTC上并联ESD管来提高ED能力。



  • 如何提高PCBA的ESD能力?

    在输入和输出的正负极直接防止100nF的电容以及ESD泄放点。在NTC等检测器件上并联ESD管。


  • 如何提高电流检测精度和抗干扰能力?

    电流检测的检测线需要使用kevin接法,检测线使用等长线,可能的条件下做阻抗匹配,在两根线直接各连接10~100nF的电容到GND,连根线之间使用1~100nF的电容。